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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 2 V56405+￥2.756725+￥2.552550+￥2.4096100+￥2.3483500+￥2.30752500+￥2.25645000+￥2.236010000+￥2.2054 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH085N80_F155 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 46 A, 800 V, 0.067 ohm, 10 V, 4.5 V 新96641+￥104.231410+￥99.6996100+￥98.8839250+￥98.2494500+￥97.25241000+￥96.79922500+￥96.16485000+￥95.6210 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU1N60CTU 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V51295+￥1.772625+￥1.641350+￥1.5493100+￥1.5100500+￥1.48372500+￥1.45095000+￥1.437710000+￥1.4180 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF150N65F Power MOSFET, N Channel, 24A, 650V, 0.133Ω, 10V, 5V70521+￥40.212410+￥37.9052100+￥36.1912250+￥35.9275500+￥35.66381000+￥35.36722500+￥35.10355000+￥34.9387 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N65C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V941610+￥8.7504100+￥8.3129500+￥8.02121000+￥8.00662000+￥7.94835000+￥7.87547500+￥7.817010000+￥7.7879 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF067N65S3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V 新74965+￥34.106750+￥32.6491200+￥31.8329500+￥31.62881000+￥31.42482500+￥31.19165000+￥31.04587500+￥30.9001 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF260N60E 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V80935+￥15.283750+￥14.6306200+￥14.2648500+￥14.17341000+￥14.08192500+￥13.97745000+￥13.91217500+￥13.8468 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP400N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V 新53255+￥12.311950+￥11.7858200+￥11.4911500+￥11.41751000+￥11.34382500+￥11.25965000+￥11.20707500+￥11.1544 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH47N60_F133 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.058 ohm, 10 V, 3 V94061+￥87.878410+￥84.0576100+￥83.3699250+￥82.8349500+￥81.99441000+￥81.61232500+￥81.07745000+￥80.6189 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF190N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 2.5 V8712 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 V9764 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V1960 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF400N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V9884 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V9604 -
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品类: 中高压MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。2829 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 4 V5500 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB070N65S3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 V 新5567 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V5249 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V2786 -
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品类: 中高压MOS管描述: SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。5179 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF3N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V7980 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V27975+￥14.402750+￥13.7872200+￥13.4425500+￥13.35641000+￥13.27022500+￥13.17175000+￥13.11027500+￥13.0486
